Ayant mesuré la différence de potentiel entre M et
N et l'intensité du courant, il ne nous reste qu'à calculer la résistivité.
Dans un milieu homogène de résistivité
avec deux pôles A et B, l'action conjuguée de A et B donnera :
le potentiel en M : |
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= résistivité [ohm.m]
V = potentiel [mV]
I = intensité du courant [mA]
AB,... = distance entre les électrodes [m] |
le potentiel en N : |
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la différence de potentiel
entre M et N : |
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la résistivité : |
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K = facteur géométriques.
Pour un dispositif symétrique par rapport à O, milieu de AB, le facteur
géométrique K vaut: |
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Si le sous-sol est homogène et isotrope, avec un dispositif
de ce type on obtiendra la résistivité vraie. Si par contre, le sous-sol
est hétérogène, on mesurera la résistivité apparente, qui est fonction
de la nature du sous-sol et de la dimension du dispositif utilisé.
On peut définir la résistivité
apparente comme suit : c'est le rapport entre le potentiel que l'on obtient
sur le terrain avec un dispositif donné et une intensité
de courant donnée et celui que l'on obtiendrait avec le même
dispositif et le même courant si l'on était sur un sous-sol
homogène et isotrope de résistivité 1 ohm.m.
Les résultats que l'on obtient en maintenant constante
la distance entre A, B, M, et N, l'ensemble se déplaçant le long d'un
profil, servent à établir les profils et cartes de résistivité. Une carte
de résistivité apparente dessinée à partir de plusieurs profils est une
carte des anomalies relatives qui se rapporte à une longueur et une orientation
sensiblement constante de tout le dispositif de mesure. En effet, à une
longueur déterminée de AMNB correspond une profondeur d'investigation
à peu près constante, donc à l'étude d'une tranche de terrain d'épaisseur
et de largueur déterminées. Les dimensions du dispositif seront donc choisies
en fonction du problème à traiter. Il est souvent nécessaire de dresser
des cartes avec plusieurs longueurs de ligne pour pouvoir interpréter
correctement les résultats.
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