En los dispositivos simétricos,el valor de la resistividad aparente obtenida se asigna al centro del dispositivo. En el caso de los dispositivos asimétricos, por ejemplo cuando son MN exteriores , los resultados se asignan bajo la vertical del punto medio de los electrodos MN. Esta acuerdo es arbitrario.

Es importante disponer siempre de los datos brutos (es decir, la tabla de datos, con: la longitud de línea, el espacio de las medidas, los valores medidos). En la documentación debe también incluirse un plano de situación del estudio con la escala, las coordenadas, las informaciones topográficas,...

Mapa de resistividades de la región de Orny, Suiza
(documento IGL)

Los resultados de un conjunto de perfiles se representan en forma de mapas de resistividades. Cada mapa corresponde a una longitud de línea de emisión bien definida que debe ser indicarse. En el emplazamiento O de todos los puntos medios de MN se registra el valor de la resistividad aparente obtenida, a continuación se traza por interpolación entre los puntos de medida de las curvas de igual valor de resistividad. Siempre, un mapa de resistividades debe ser acompañado de la longitud de línea utilizada, de la escala, del espacio de las medidas y de una leyenda que permita identificar el estudio.